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行业动态

300亿美元入主南京 国产半导体即将起航

    随着固态硬盘等存储产品对于闪存颗粒的需求不断加大,国产化的力度也不断在加大,特别是“国家队”的介入,让国产化存储芯片快速问世成为了可能。

    近日,国内存储大厂紫光携南京市政府举行动土典礼,宣告紫光南京半导体基地正式开工。

    紫光南京新厂与台积电南京厂同坐落于南京江北新区浦口区,紫光南京新厂占地面积约 1,500 亩,主要生产 3D NAND Flash、DRAM 内存。总投资金额高达 300 亿美元的建设项目,一期投资约 100 亿美元、月产能 10 万片晶圆。去年底中国台湾地区 IC 设计晶圆测试厂欣铨,敲定在南京间接投资新厂,同样将落户于此。

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    包含紫光集团董事长赵伟国、 江苏省委书记及省人大常委会主任李强、省委副书记暨南京市委书记吴政隆、南京市长穆瑞林等人都出席动土仪式。

    紫光集团还指出,将另外投资 300 亿人民币(约 44 亿美元)建设配套的 IC 国际城,包含科技园、设计封装产业基地、国际学校、国际人才公寓等相关配套设施。

    据先前赵伟国透露的信息,除了旗下长江存储国家存储基地 240 亿美元投资案,未来一年将在中国成都、南京各建一座晶圆厂,三项投资案加起来将超过 700 亿美元

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